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榮達(dá)半導(dǎo)體最新開發(fā)產(chǎn)品MOS管已投入生產(chǎn)
瀏覽次數(shù):610 次  發(fā)布時(shí)間:2022-09-15  

MOS管基本知識(shí):

1、三個(gè)極的判定



G極(gate)—柵極,不用說(shuō)比較好認(rèn) 
S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是 
D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊


2、N溝道與P溝道判別



箭頭指向G極的是N溝道 
箭頭背向G極的是P溝道


3、寄生二極管方向判定


不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S


4、MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

  1. 信號(hào)切換 

  2. 電壓通斷


5、MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

關(guān)鍵點(diǎn):

  1. 確定那一極連接輸入端,那一極連接輸出端 

  2. 控制極電平為?V 時(shí)MOS管導(dǎo)通 

  3. 控制極電平為?V 時(shí)MOS管截止 



NMOS:D極接輸入,S極接輸出 
PMOS:S極接輸入,D極接輸出


反證法加強(qiáng)理解 
NMOS假如:S接輸入,D接輸出

 


由于寄生二極管直接導(dǎo)通,因此S極電壓可以無(wú)條件到D極,MOS管就失去了開關(guān)的作用。


PMOS假如:D接輸入,S接輸出 



同樣失去了開關(guān)的作用


6、MOS管的開關(guān)條件

N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通 
P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通 
總之,導(dǎo)通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|


7、相關(guān)概念

BJT :Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管,BJT是電流控制器件; 

FET :Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET是電壓控制器件。


按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱MOSFET)兩大類 。
按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。 
總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

8、MOS管重要參數(shù)

  1. 封裝 

  2. 類型(NMOS、PMOS) 

  3. 耐壓Vds(器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓) 

  4. 飽和電流Id 

  5. 導(dǎo)通阻抗Rds 

  6. 柵極閾值電壓Vgs(th)


9. 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳



無(wú)論是NMOS還是PMOS 
按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。 
或者這么記:?jiǎn)为?dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。 
這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為C,左邊為B,右邊為E。

管腳編號(hào) 



從G腳開始,逆時(shí)針123 
三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開始,逆時(shí)針123


10. 用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS

借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值,說(shuō)明是N溝道,若情況相反是P溝道。


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